国产内存的弯道超车：凭借一项自主技术，4年追上46年的三星！
你俩能不能走慢点，我都啥样了 编辑 锻炼身体是好事，但咱千万别晚上出来练 编辑 每天高强度训练，能吃苦，又能坚持，小小的舞狮传承者 妹子，要扔就扔远一点，这都啥时候了还这样磨叽美丽的阿美利坚
国产内存的弯道超车：凭借一项自主技术，4年追上46年的三星！美丽的阿美利坚
这几年，“弯道超车”这个本不该在科技圈，尤其是在半导体领域出现的字眼，却经常被大家用在半导体领域上。
因为相对于国际领先水平而言，国内半导体水平是落后很多的，如果是中规中矩的跟在后面追是很难追上的，只有弯道超车才有机会。
而事实上，这些年确实也有弯道超车的例子发生的半导体领域，比如今天给大家介绍的这一个产品就是了。
前几天，长江存储宣布其128层QLC 3D NAND闪存（型号：X2-6070）研发成功，不仅如此，这颗芯片还刷新了三项纪录，那就是X2-6070拥有目前业界已知最大单位面积存储密度、最高I/O传输速度以及最高单颗NAND存储芯片容量。
也件事情其实也意味着成立仅4年左右的长江存储，已经差不多能够媲美46岁的三星内存了。我们知道三星做内存是从1974年开始的，目前在NAND闪存上的技术也是128层堆叠技术，也许三星在研发的下一代技术，已经有了进展，但至少目前表现出来的技术也就是这个水平。
长江存储成立于2016年，成立的背景就是在当时中国内存芯片自给率为0，但却是全球最大的需求国，每年进口的内存芯片超过了1000多亿美元，2018年达到了1230多亿美元。
于是紫光集团联合国家集成电路产业投资基金、湖北省科投等，成立长江存储，来攻克闪存技术，为的就是能够让国产内存崛起，减少对国外产品的依赖。
当长江存储研发32层堆叠技术时，三星等厂商早已在64级堆叠技术上发展了很多年，当长江存储进入64层堆叠技术时，三星等厂商已进入128层堆叠技术。
后来长江存储推出的突破性技术——Xtacking技术。该技术将为3D NAND闪存带来前所未有的I/O高性能，更高的存储密度，以及更短的产品上市周期。
于是长江存储靠着这个Xtacking技术跳过了96层堆叠技术，直接进入到现在的128层堆叠技术，实现了真正的“弯道超车”。
而随着长江存储的这款128层QLC 3D NAND闪存发布，也就意味着长期以来被美、日、韩把控的内存定价权或被中国厂商打破了，毕竟中国厂商一旦实现了0的突破，从0到10所要花的时间不会太长的，你觉得呢？
美丽的阿美利坚 众所周知，2019年被称之为5G元年，而2020年5G已全面开花了，像中国目前已经建成了40多万座5G基站，还以以每周1万座的速度建设下去，从5G基站数量来看，已经是全球第一了。 不仅如此，在5G专利上，中
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